CA-IS3214MCG
量产
适用于IGBT/SiC、高 CMTI、10A 拉/灌电流的单通道增强隔离栅极驱动器
CA-IS3214 是一系列基于电容隔离的单通道栅极驱 动器,可用于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 等功率 器件。该驱动器具有出色的动态性能和高可靠性,同时 具有高达10A/10A 峰值的拉/灌电流能力。 CA-IS3214 通过 SiO2 电容隔离技术实现控制侧与驱 动侧的电气隔离,支持 1.5kVRMS的隔离工作电压、12.8 kVPK 浪涌抗扰度,额定工作电压下隔离栅寿命超过 40 年,同时具有良好的器件一致性以及>150kV/μs 的共模 瞬态抗扰度 (CMTI)。
CA-IS3214 具有控制和驱动侧电源UVLO功能,同时 针对 SiC 和 IGBT 开关行为进行了优化,并提高了可靠 性。此外,CA-IS3214MxG 内置5A 峰值电流有源米勒钳 位;CA-IS3214SxG 和 CA-IS3214TSCG 具有 OUTH 和OUTL 分离输出配置。
CA-IS3214 输入 IN+/IN–提供 CMOS 或者 TTL 逻辑选 项,其中CA-IS3214TSCG为TLL逻辑,其它料号为CMOS 逻辑。
CA-IS3214 器件采用 8 引脚宽体 SOIC 封装。所有器 件的额定工作结温范围为 –40°C至 +150°C。
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特性
驱动高达 2121VPK的 SiC MOSFET 和 IGBT
10A/10A 峰值拉/灌驱动电流能力
输入CMOS或者TTL(CA-IS3214TSCG)逻辑
宽电源范围
3.0V 至 5.5V 输入侧 VCC 电源范围
高达 33V 的输出驱动电源(VDD – VEE),具有两种UVLO 选项: B版本:8V 、C版本:12.5V输入引脚上30ns(典型值)脉冲抑制功能
延时特性
80ns(典型值)传播延迟
15ns(最大值)脉宽失真
15ns(最大值)器件间延时匹配SOIC8-WB 封装,爬电距离和电气间隙>8.2mm, 5700VRMS隔离耐压等级
高共模瞬态抗扰度
>150kV/μs
额定工作电压下隔离栅寿命大于40年
工作结温(TJ)范围 :–40°C至 150°C
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应用
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电机逆变器
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新能源车载充电器
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光伏逆变器
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器件信息
器件型号 封装 封装尺寸(标称值) CA-IS3214xxG SOIC8-WB (G) 5.85mm x 7.50mm CA-IS3214TSCG SOIC8-WB (G) 5.85mm x 7.50mm -
简化通道结构图
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技术文档
文档名称
文件种类
更新日期
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文件种类: 规格书
更新日期: 2026.01.12
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认证标准
认证名称
认证种类
认证编号
认证日期
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认证种类: 可靠性
认证编号: CA-IS3214xCG_V1.1
认证日期: 2025.11.17
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